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MTD5P06VT4G

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MTD5P06VT4G的技术参数

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产品型号:MTD5P06VT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):450
最大漏极电流Id(on)(A):5
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):3DPAK/-65~175
描述:5A,60V,DPAK,P沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.23


  来源:xiangxueqin
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