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MTW32N20EG的技术参数

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产品型号:MTW32N20EG
源漏极间雪崩电压VBR(V):200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75
最大漏极电流Id(on)(A):32
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-247/-55~150
描述:小信号N沟道TO-247封装场效应管
价格/1片(套):￥48.50


  来源:xiangxueqin
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