NAND08GW3B2A价格行情|NAND08GW3B2A历史最低报价、平均报价【维库电子市场网】NAND08GW3B2A供应|资料|PDF Datasheet

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厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
内容：4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

其它信息：
高密度的NAND Flash存储器：高达8G位存储器阵列，成本效益的解决方案用于大规模存储应用；NAND接口：16倍总线宽度，多路复用地址/数据；电源电压：1.8V/3.0V设备；页大小：8倍设备：(2048＋64备用)字节，16倍设备：(1024＋32备用)字；块大小：8倍设各：(128K＋4K备用)字节，16倍设备：(64K＋2K备用)；页读/程序：随机存取：25μs(最大值)，顺序存取：25ns(最小值)，页程序时间：200μs(典型值)，多层页程序时间(2页)：200μs(典型值)；缓冲读模式；快速块擦除：1.5ms(典型值)，多块擦除时间(2块)：1.5ms(典型值)；状态寄存器；硬件数据保护：程序/擦除锁定在功率转换器件，非易失性保护项；数据的完整性：100000程序/擦除周期(具有ECC)，10年的数据保留时间；操作电压：V_DD＝1.7～1.95V；高密度NAND Flash存储器：多达8G位存储器阵列

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