MRF6S21140H
1000
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原装无铅
MRF6S21140HSR3
2950
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原装进口现货价格优惠长期供货
MRF6S21140HR3
1065
465B03/-
100%原装进口，部分现货，收购工厂库存
MRF6S21140H
168000
SMD/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
MRF6S21140H
400
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
MRF6S21140H
13
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原装
MRF6S21140H
15988
SMD/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单
MRF6S21140H
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全新原装现货，长期供应，免费送样
MRF6S21140H
68500
TO63/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货
MRF6S21140H
29500
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MRF6S21140H
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MRF6S21140H
12500
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MRF6S21140H
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MRF6S21140H
50000
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MRF6S21140H
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RF Power Field Effect Transistors
FREESCALE
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MRF6S21140HR3
N-Channel Enhancement-Mode Lateral M...
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摘要：为在高线性的前提下提高wcdma基站系统中功率放大器的效率，仿真设计了一款工作于2.14 ghz频段不对称功率驱动的deherty功率放大器。基于ads平台，采用mrf6s21140h ldmos晶体管，通过优化载波放大器和峰值放大器的栅极偏置电压改善三阶互调失真（imd3），同时通过调节输入功率分配比例改善由于峰值放大器对载波放大器牵引不足导致的失配问题，从而改善不对称doberty功率放大器的输出性能。仿真结果表明，当载波放大器的栅极偏置电压为2.84v,峰值放大器的栅极偏置电压为0.85 v并且输入功率比例为1:2.3,输出功率为44 dbm时其功率附加效率（pae）为24.21%,imd3为-44.46 dbc,和传统ab类平衡功率放大器相比pae提高了8.58%,imd3改善了6.98dbc. 对于现代无线通信系统，多载波、宽带、高传输速率已经成为其发展的方向。随着频谱资源的日益紧张，为了在有限的带宽内传输更多的数据，在wcdma系统中采用bpsk和qpsk等非线性调制方式，系统的瞬时传输功率产生较高的峰均比，功率放大器需要通过较大的功率回退的方式来满足系统对线性度的要求。目前wc
，支持gsm、edge、cdma和w-cdma技术。作为ldmos技术的领导者，飞思卡尔设计出射频功率晶体管，为无线基础架构应用提供所需的高功率密度、卓越的射频性能、高质量和高可靠性，以及设备连续性和高效率。 无线基础架构设备生产商可以继续灵活地从同一个可靠的大量半导体供应商处选择高电压的陶瓷或塑料射频晶体管。飞思卡尔的第6代ldmos陶瓷系列最初包括mrf6s19100h／s、mrf6s19140h／s、mrf6s21100h／s和mrf6s21140h／s设备。它的第6代ldmos塑料产品系列具有可靠、强大、经济的特点，是陶瓷产品的替换品。塑料产品系列最初包括mrf6s19060n／nb、mrf6s19100n／nb、mrf6s21060n／nb和mrf6s21100n／nb设备。 飞思卡尔为射频设计者提供全面的模型库和仿真工具，在计算机辅助设计环境中全面帮助识别射频产品。该模型和仿真功能可以缩短设计和面市的时间。 ●使
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