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当前位置:维库电子市场网>IC>mtb30p06vt4g 更新时间:2025-06-27 17:09:37

mtb30p06vt4g供应商优质现货

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  • MTB30P06VT4G

  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 46

  • ON/安森美

  • TO263/13+

  • 只做原装-专注ROHM-不止现货数量

  • MTB30P06VT4G

  • 优势
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  • 原装,假一罚十

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  • 10032

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  • 原装认证有意请来电或QQ洽谈

  • MTB30P06VT4G

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  • ON/安森美

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  • 只做原装,也只有原装

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  • D2PAK 3 LEAD/22+

  • 奥利腾只做原装正品,实单价优可谈

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  • 258200

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  • 原装现货.更多数量咨询样品支持,元件优质供应商

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  • 8000

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  • 实实在在-只做原装

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  • 台产芯片完美替代

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  • 低价出售原装现货可看货假一罚十

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  • 138000

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  • 公司现货原装

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  • 8500

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  • 原装现货

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mtb30p06vt4g价格行情

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历史最低报价:¥1.8000 历史最高报价:¥9.0000 历史平均报价:¥4.0375

mtb30p06vt4g中文资料

  • MTB30P06VT4G的技术参数

    产品型号:mtb30p06vt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):67最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:p沟道封装/温度(℃):3d2pak/-65~175描述:30a,60v,d2pak,p沟道功率mosfet价格/1片(套):¥11.80 来源:xiangxueqin

  • MTB30P06VT4G的技术参数

    产品型号:MTB30P06VT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67
    最大漏极电流Id(on)(A):30
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175
    描述:30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):¥11.80<...

mtb30p06vt4g替代型号

MTA001M MTA001 MT9V111 MT9V032 MT9V011 MT9T001 MT9P031 MT9P001 MT9M111 MT9M001C12STC

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