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i和mitsubishi共同支持and技术的flash memory。and技术与nand一样采用“大多数完好的存储器”概念，目前，在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。 hitachi和mitsubishi公司采用0.18μm的制造工艺，并结合mlc技术，生产出芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低的512mb-and flash memory，再利用双密度封装技术ddp（double density package technology），将2片512mb芯片叠加在1片tsop48的封装内，形成一片1gb芯片。hn29v51211t具有突出的低功耗特性，读电流为2ma，待机电流仅为1μa，同时由于其内部存在与块大小一致的内部ram 缓冲区，使得and技术不像其他采用mlc的闪速存储器技术那样写入性能严重下降。hitachi公司用该芯片制造128mb的multimedia卡和2mb的pc\|ata卡，用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。 4 由eeprom派生的闪速存储器 eeprom具有很高的灵活性，可以单字节读写（
v160的单片存储容量为16m位（2m字节），工作电压为2.7v～3.6v，采用48脚tsop封装或48脚fbga封装，16位数据宽度，可以以8位（字节模式）或16位（字模式）数据宽度的方式工作。 hy29lv160仅需单3v电压即可完成在系统的编程与擦除操作，通过对其内部的命令寄存器写入标准的命令序列，可对flash进行编程（烧写）、整片擦除、按扇区擦除以及其它操作。 hy29lv160的逻辑框图、引脚分布及信号描述分别如图1和表1所示： 图1 hy29lv160引脚分布（tsop48封装） 表1 hy29lv160的引脚信号描述 1.3 以hy29lv160为例的flash接口电路的使用方法 下面，我们使用hy29lv160来构建存储系统。由于arm微处理器的体系结构支持8位/16位/32位的存储器系统，对应的可以构建8位、16位、32位的flash存储器系统。32位的存储器系统具有较高的性能，而16位的存储器系统则在成本及功耗方面占有优势，而8位的存储器系统现在已经很少使用。下面主要介绍16位和32位的flash存储器系统的构建。 1.3
写能力100,000次。 新产品可以是8位字或16位字排列结构，主要功能包括独立的区块擦除、可选的能够加快生产的快速编程和一个64位的安全代码。 “m29w320给st的种类齐全的车用非易失性存储器产品带来了一个真正的高密度、高速闪存产品，进一步加强了st在车用nor闪存产品市场的领先地位，”意法半导体闪存产品部嵌入式产品总经理maur o decca表示，“我们先进的制造技术历经了多年的发展，事实证明，我们的技术能够提供具有竞争力的价格和更高的可靠性。” m29w320采用tsop48 rohs封装，2007年4月投入量产，订货10,000支，价格3.50 美元。 来源:小草
页面编程操作因一个损坏区块而失败时，这个功能特别有用。新器件还提供区块擦除指令，擦除一个区块的时间仅需2ms。每个区块的耐擦写能力为100,000次，数据保存期限为10年。 新器件还包含"无需介意芯片激活"功能，可简化微控制器的接口设计，同时能简化nand闪存与nor闪存、sram等内存的整合过程。另外，制造商在器件出厂前可以设定一个唯一的器件id序列号，用户利用一个用户可编程序列号可以提高目标应用的安全功能。 nand128w3a2bn6e 已开始量产，价格区间在4美元到4.5美元之间，封装为tsop48无铅封装，工作温度范围-40 到 +85摄氏度。 来源:零八我的爱
作因一个损坏区块而失败时，这个功能特别有用。新器件还提供区块擦除指令，擦除一个区块的时间仅需2ms。每个区块的耐擦写能力为100000次，数据保存期限为10年。 新器件还包含“无需介意芯片激活”功能，可简化微控制器的接口设计，同时能简化nand闪存与nor闪存、sram等内存的整合过程。另外，制造商在器件出厂前可以设定一个唯一的器件id序列号，用户利用一个用户可编程序列号可以提高目标应用的安全功能。 nand128w3a2bn6e 已开始量产，价格区间在4美元到4.5美元之间，封装为tsop48无铅封装，工作温度范围-40～+85℃。 来源:小草
riginal 2011+ 200.00元深圳市科泰伟业电子商行pth08t210waztexas instruments original 2011+ 20.00元深圳市科泰伟业电子商行bq2040ti sop 18000 2.20元深圳市新利城电子有限公司kst10-mtffsc sot-23 无铅 600000 0.10元深圳市石成金电子经营部lp2981aim5x-3.2ns 07+ sot23-5 0.42元深圳市新利城电子有限公司k9gag08uom-pcbosamsung tsop48 10+ 2000 38.00元深圳市飞达环球电子有限公司k9k8g08uom-pcbosamsung tsop48 2011+ 2000 37.00元深圳市飞达环球电子有限公司ad620arz-reel7 11+ 1200 11.00元深圳盈澳科技有限公司93a1a-b28-a15lbourns 即时报价 2011+ 200 50.00元深圳市思诺康科技有限公司k9k8g08uom-pcbosamsung tsop48 2005+ 2000 37.00元深圳市飞达环球电子有限公司msc271
4-mbit的nor闪存ic，到2007年底，还将增加一个128-mbit的nor闪存。 采用st的最先进的0.11?m闪存制造工艺，m29w320可以在2.7v到3.6v的电压范围内读取、编程和擦除。异步随机存取时间是70ns，典型字节或字编程时间是10?s。数据保存期限保证至少20年，每个区块耐擦写能力100,000次。 新产品可以是8位字或16位字排列结构，主要功能包括独立的区块擦除、可选的能够加快生产的快速编程和一个64位的安全代码。 m29w320采用tsop48 rohs封装，2007年4月投入量产，订货10,000支，价格3.50 美元。 详情请访问： www.st.com
公司st901tst to-220 10+ 50000 2.50元联森电子科技（国际）有限公司rtm875t-606realtek 64 07+ 25 16.00元上海侨尔电子经营部grm188r71h104kn/a 原装 10+ 6000000 0.02元深圳市纳艾斯科技有限公司fr107mic do-41 11+ 9000 0.20元上海侨尔电子经营部amc7150dlgtaddtek to-222 11+ 10000 0.90元深圳市双彬电子有限公司te28f160c3ta90intel tsop48 98+ 1882 8.50元深圳一新电子有限公司prf18bd471qb1rb 1.20元湘林电子（香港）有限公司irf630bfairchild to-220 11+ 3000 1.80元上海侨尔电子经营部7805howlin 10+ to-220 3750 1.00元深圳市恒成微科技有限公司ao4410ao so-8 11+pb 36000 2.00元深圳市金万顺电子有限公司 hcf4052beyst dip 10 10k 0.50元深圳市德创辉电子有限公司em78p259emc s
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保证至少20年，每个区块耐擦写能力100,000次。新产品可以是8位字或16位字排列结构，主要功能包括独立的区块擦除、可选的能够加快生产的快速编程和一个64位的安全代码。“m29w320给st的种类齐全的车用非易失性存储器产品带来了一个真正的高密度、高速闪存产品，进一步加强了st在车用nor闪存产品市场的领先地位，”意法半导体闪存产品部嵌入式产品总经理mauro decca表示，“我们先进的制造技术历经了多年的发展，事实证明，我们的技术能够提供具有竞争力的价格和更高的可靠性。”m29w320采用tsop48 rohs封装，2007年4月投入量产，订货10,000支，价格3.50 美元。
tsop48封装尺寸是多少?
ess6688与mx29lv160cbtc的nor flash匹配问题各位大侠,我用ess6688方案做的dvd,使用mx29lv160bbt的flash能够正常工作,而使用mx29lv160cbt的片子不能工作,(都是tsop48的封装),我看了两个的datasheet,说是mx29lv160cbt完全兼容mx29lv160bbt,只是mx29lv160cbt为0.13um制程,mx29lv160bbt为0.18um制程.不知道高手是否遇到此问题,帮小弟解难!
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