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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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RF Power Field Effect Transistors
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当调节衰减器和相移器，使得上一支路的基频信号和谐波发生器输出端的基频信号，在幅度上相等，而相位相差180°，从而就可以将基频信号对消掉。仿真结果如图4（a）和（b）所示。 2 试验结果 为了验证本文研究的预失真器的有效性，将该预失真器应用于5w cdma射频功率放大器中，并在ads中进行双音测试仿真，仿真电路框图如图5所示。 本仿真试验中，主功放采用的是freescale公司的mrf9045射频器件，矢量调节器由衰减器和相移器组成，用于调节失真信号的幅度和相位，使其与主功放产生的三阶和五阶交调分量在幅度上相等，而相位相差180°，以便最大限度地对消三阶和五阶交调分量。在ads中进行双音谐波平衡仿真（2－tone hb），以测试功率放大器的线性度。在不加预失真情况下，在该放大器输出功率是5w时，失真较大，双音交调imd3和imd5分别如图6（a）所示。当采用本文中的预失真技术后，imd3和imd5得到明显改善，如图6（b）所示。 从仿真
放大器。对从功率放大器输出的wcdma信号进行下变频后，vsa 将基带i和q路信号收集起来。通过将输出i/q信号与输入信号相比较，可以确认动态基带am-am和am-pm特性。ads数字包通过gpib和ieee1394接口控制测试系统。esg为vsa 提供了用于同步的外部触发和参考信号。功率放大器最末级由freescale的 170 w-pep ldmosfet组成的两个推挽放大器并行连接来实现，具有340 w-pep。 图（2）给出了放大器最末级的图片，其中包括输出端的隔离器和偏置网络。最末级由mrf9045，45w-pep ldmosfet驱动。整个放大器链路具有49 db 的功率增益和54 dbm的饱和输出功率。 图（1）获取输入与输出基带i/q信号的 测试装置 图（2）放大器的最后形态 基于tdnn的功率放大器建模 使用实值tdnn设置并对其进行优化，便可以作为一种功率放大器建模方法。部分基带i/q信号用作tdnn的训练数据。图（3）给出了tdnn的特定结构，包括输入层，隐藏层，输出层和延迟抽头。输出i/q信号可以用输入i/q信号，它们之前具有不同多抽头时延的信号，以及
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