MRF6S19140H
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MRF6S19140HR3
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RF Power Field Effect Transistors
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MRF6S19140HR3
N-Channel Enhancement-Mode Lateral M...
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N-Channel Enhancement-Mode Lateral M...
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基础架构的设计者能经济高效地开发出高性能的蜂窝基站放大器，支持gsm、edge、cdma和w-cdma技术。作为ldmos技术的领导者，飞思卡尔设计出射频功率晶体管，为无线基础架构应用提供所需的高功率密度、卓越的射频性能、高质量和高可靠性，以及设备连续性和高效率。 无线基础架构设备生产商可以继续灵活地从同一个可靠的大量半导体供应商处选择高电压的陶瓷或塑料射频晶体管。飞思卡尔的第6代ldmos陶瓷系列最初包括mrf6s19100h／s、mrf6s19140h／s、mrf6s21100h／s和mrf6s21140h／s设备。它的第6代ldmos塑料产品系列具有可靠、强大、经济的特点，是陶瓷产品的替换品。塑料产品系列最初包括mrf6s19060n／nb、mrf6s19100n／nb、mrf6s21060n／nb和mrf6s21100n／nb设备。 飞思卡尔为射频设计者提供全面的模型库和仿真工具，在计算机辅助设计环境中全面帮助识别射频产品。该模型和仿真功能可以缩短设计和面市的时间。
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