MRF6S21100H
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RF Power Field Effect Transistors
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MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W–CD...
Motorola
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3PDF下载
t1和-50 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。. mrf6s21060n: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、15.5 db的增益、-48 dbc的alt1和-49 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35 dbm的输出功率、14.5 db的增益、-49 dbc的alt1和-51 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、16 db的增益、-51 dbc的alt1和-53 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器，具有25 dbm的输出功率，27 db的增益、-50 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mrf7s19080h: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、18 db的增益, -5
额定输出功率。mw7ic18100n是hv7 ldmos两级rf ic，在1db压缩下具有100w(+50dbm)的额定输出功率。综合来看，这两个器件创建了高性能的1,800mhz gsm系统，具有近50db的增益、37%的线路效率，以及+46dbm输出功率下的1.5% evm性能，如图14和15所示。低成本塑料封装、紧凑的电路版图以及使用最少的rf器件使得这一应用为成本敏感的gsm市场提供了理想的解决方案。 图16是针对td-scdma应用的rf示范电路的典型性能。该电路包括驱动mrf6s21100h分立晶体管的mw6ic2215n rf ic。mw6ic2215n是一款两级hv6 ldmos rf ic，而mrf6s21100h是一款hv6 ldmos分立陶瓷晶体管。这些器件在1db压缩下分别具有15w和100w的额定输出功率。尽管这些器件不是专门用于td-scdma市场，但*估表明它们具有优异的六载波td-scdma性能。在+38dbm输出功率下，线路增益为43db，未经校正的邻道功率为-51.4dbc，未经校正的相间信道功率为-52.3dbc。 除示范电路、电路设计辅助以及系统故
开发出高性能的蜂窝基站放大器，支持gsm、edge、cdma和w-cdma技术。作为ldmos技术的领导者，飞思卡尔设计出射频功率晶体管，为无线基础架构应用提供所需的高功率密度、卓越的射频性能、高质量和高可靠性，以及设备连续性和高效率。 无线基础架构设备生产商可以继续灵活地从同一个可靠的大量半导体供应商处选择高电压的陶瓷或塑料射频晶体管。飞思卡尔的第6代ldmos陶瓷系列最初包括mrf6s19100h／s、mrf6s19140h／s、mrf6s21100h／s和mrf6s21140h／s设备。它的第6代ldmos塑料产品系列具有可靠、强大、经济的特点，是陶瓷产品的替换品。塑料产品系列最初包括mrf6s19060n／nb、mrf6s19100n／nb、mrf6s21060n／nb和mrf6s21100n／nb设备。 飞思卡尔为射频设计者提供全面的模型库和仿真工具，在计算机辅助设计环境中全面帮助识别射频产品。该模型和仿真功能可以缩短设计和面市的时间。
dbc的alt1和-50 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。. mrf6s21060n: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、15.5 db的增益、-48 dbc的alt1和-49 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35 dbm的输出功率、14.5 db的增益、-49 dbc的alt1和-51 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、16 db的增益、-51 dbc的alt1和-53 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器，具有25 dbm的输出功率，27 db的增益、-50 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mrf7s19080h: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、18 db的增益, -51 db
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